[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，可以解决以下问题：在微波FET中，内在的肖特基接合或PN结电容小，这些接合对静电防护弱。但是在微波器件中由于连接保护二极管会增加寄生电容，导致高频特性的恶化，所以不能采用该方法。本发明在FET的2个端子间并联连接由第1N+型区域、绝缘区域、第2N+型区域组成的保护元件。可以在接近的第1、第2N+区域间放电，所以可以不增加寄生电容地使到达FET工作区域的静电能量衰减。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，包括：具有连接到衬底上设置的工作区域表面的栅极电极、源极电极、漏极电极和连接到各电极的栅极端子、源极端子、漏极端子的成为被保护元件的FET；保护元件，所述被保护元件的任意一个被并联连接在2个端子之间，在第1高浓度掺杂区域和第2高浓度掺杂区域的2个端子间设置绝缘区域，使施加到所述被保护元件的2个端子间的静电能量在所述第1和第2高浓度掺杂区域间放电，使到达对应于所述被保护元件的2个端子的所述2个电极的静电能量衰减到不超过所述2个电极间的静电击穿电压的程度。