[发明专利]发射辐射的芯片和发射辐射的元件有效

专利信息
申请号: 02815779.6 申请日: 2002-06-05
公开(公告)号: CN1541421A 公开(公告)日: 2004-10-27
发明(设计)人: J·鲍尔;D·埃塞特;V·赫尔勒 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 苏娟;赵辛
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一个发射辐射的芯片(2),该芯片具有:一个辐射能穿透的窗口(5),该窗口具有一个折射率nF和一个主面(19);一个多层结构(9),该多层结构含有一层产生辐射的有源层(10)并邻接窗口(5)的主面(19);和一种包围窗口(5)的、具有折射率n0的、辐射能穿透的介质。窗口(5)具有至少两个界定面(6,7),这两个界定面夹成一个β角,该角满足不等式:90°-αt<β<2αt式中αt=arcsin(n0/nF);此外,本发明涉及一种发射辐射的元件,该元件含有这样一个芯片(2)。
搜索关键词: 发射 辐射 芯片 元件
【主权项】:
1.发射辐射的芯片(2),具有:一个辐射能穿透的窗口(5),该窗口具有一个折射率nF和一个主面(19)。一个多层结构,该多层结构含有一层产生辐射的有源层(10)并布置在窗口(5)的主面(19)上,其中窗口(5)被一种辐射能穿透的介质包围,该介质的折射率n0小于该窗口的折射率nF,其特征为,窗口(5)朝辐射能穿透的介质方向至少被两个面(6,7)界定,这两个面夹成一个β角,该角满足下列关系: 90°-αt<β<2αt 式中的αt用下式计算: αt=arcsin(n0/nF).
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