[发明专利]形成含有金属的材料和电容器电极的方法以及电容器结构

摘要

本发明包括一种用来形成一种用于半导体结构的含有金属的物质的方法。提供一半导体基底，并靠近基底提供金属有机母体。该母体被暴露在还原气体中，使金属从母体中释放出来，之后被释放出来的金属沉积在半导体基底上。本发明还包括电容器结构以及用于形成电容器结构的方法。

主权项

1、一种用来形成用于半导体结构的含有金属的物质的方法，包括：提供一半导体基底；靠近基底提供一个或者更多个金属有机母体，上述一个或者更多个母体中至少有一个不含铂；将至少一个所述母体暴露于还原气体以使金属从所述至少一个母体中释放出来；和将被释放出来的金属沉积在半导体基底上，从而在半导体基底上形成含有金属的物质；其中基底包括一个由氮化钛(TiN)、元素钛、氮化钨(WN)、元素钨、氮化钽和元素钽中一种或者更多组成的上表面；并且，在形成含有金属的物质时上表面被暴露在还原气体中；和将所述含有金属的物质图形化成矩形的块。