[发明专利]使用平面化方法和电解抛光相结合的方法形成半导体结构有效
| 申请号： | 02816119.X | 申请日： | 2002-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1543668A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 姚向宇;张如皋;易培豪;王晖 | 申请（专利权）人： | ACM研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/461;H01L21/4763;H01L23/48;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种平面化和电抛光半导体结构上的导电层的方法，包括在半导体晶片上形成具有凹槽区和非凹槽区的介质层。在介质层上形成导电层，以覆盖凹槽区和非凹槽区。然后平面化导电层的表面，以减小表面形貌的变化。然后电解抛光经平面化的导电层，以暴露出非凹槽区。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 平面化 方法 电解 抛光 相结合 形成 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：在半导体晶片上形成介质层，其中所述介质层包括凹槽区和非凹槽区；在介质层上形成导电层，以覆盖凹槽区和非凹槽区；平面化所述导电层的表面，以减少所述导电层的表面形貌的变化；以及在平面化所述导电层的表面之后，电解抛光所述导电层，以暴露出非凹槽区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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