[发明专利]雪崩击穿存储器件及其使用方法无效

专利信息
申请号: 02816191.2 申请日: 2002-05-24
公开(公告)号: CN1543680A 公开(公告)日: 2004-11-03
发明(设计)人: 博里斯·彻诺布罗德;弗拉迪米尔·施瓦茨 申请(专利权)人: 奥普泰拜特公司
主分类号: H01L31/0304 分类号: H01L31/0304;H01L31/10;H01L31/105;G11C13/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邵亚丽;马莹
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 反向偏压结合选择照射可以有选择地将数据记录到光学存储器(300)中。由于可以并行地记录数据,因而记录处理可以很快完成。记录处理产生用于改变元件的雪崩电流(208)。该变化可以是元件的损坏,也可以是属性的改变,例如电导率或功函数(206)。
搜索关键词: 雪崩 击穿 存储 器件 及其 使用方法
【主权项】:
1.一种将数据记录到光学存储介质中的方法,包括:在第一像素上施加第一电压,所述第一像素包括响应施加在该第一像素上的第二电压而产生光的发光元件;以及在将所述第一电压施加到第一像素期间照射该第一像素,以感应出光感生雪崩击穿电流通过所述第一像素,其中,所述光感生雪崩击穿电流改变所述第一像素,从而防止所述发光元件响应施加在所述第一像素上的所述第二电压而产生光。
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