[发明专利]雪崩击穿存储器件及其使用方法无效
申请号: | 02816191.2 | 申请日: | 2002-05-24 |
公开(公告)号: | CN1543680A | 公开(公告)日: | 2004-11-03 |
发明(设计)人: | 博里斯·彻诺布罗德;弗拉迪米尔·施瓦茨 | 申请(专利权)人: | 奥普泰拜特公司 |
主分类号: | H01L31/0304 | 分类号: | H01L31/0304;H01L31/10;H01L31/105;G11C13/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邵亚丽;马莹 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 反向偏压结合选择照射可以有选择地将数据记录到光学存储器(300)中。由于可以并行地记录数据,因而记录处理可以很快完成。记录处理产生用于改变元件的雪崩电流(208)。该变化可以是元件的损坏,也可以是属性的改变,例如电导率或功函数(206)。 | ||
搜索关键词: | 雪崩 击穿 存储 器件 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
1.一种将数据记录到光学存储介质中的方法,包括:在第一像素上施加第一电压,所述第一像素包括响应施加在该第一像素上的第二电压而产生光的发光元件;以及在将所述第一电压施加到第一像素期间照射该第一像素,以感应出光感生雪崩击穿电流通过所述第一像素,其中,所述光感生雪崩击穿电流改变所述第一像素,从而防止所述发光元件响应施加在所述第一像素上的所述第二电压而产生光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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