[发明专利]干式显影方法有效
| 申请号： | 02816214.5 | 申请日： | 2002-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN1543666A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 北村彰规;V·N·巴拉苏布拉马尼亚姆;稻泽刚一郎;西野雅 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国东京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 用于在设置于真空处理容器(102)内的平行平板电极间导入处理气体、同时施加高频电力、形成处理气体的等离子体、描画形成于被处理体(150)上的抗蚀剂的干式显影，被蚀刻层(152)上部的抗蚀剂包括已经显影的含有硅的上层抗蚀剂(156)和连接地设置在上层抗蚀剂(156)下层的下层抗蚀剂(154)，通过使用一氧化碳气体和氧气的混合气体进行等离子体处理的第一工序和使用氮气和氢气的混合气体进行等离子体处理的第二工序对下层抗蚀剂(154)进行上述干式显影，由此，可在抗蚀剂上高效率地实施高精度的描画。 | ||
| 搜索关键词： | 显影 方法 | ||
【主权项】：
1.一种干式显影方法，在真空容器内导入处理气体，同时施加高频电力，形成所述处理气体的等离子体，并描画形成于被处理体上的抗蚀剂，其特征在于：所述抗蚀剂包括：含有已形成了描画图案的硅的第一抗蚀剂层；设置在所述第一抗蚀剂下层的第二抗蚀剂层；所述第二抗蚀剂层，通过使用一氧化碳气体和氧气的混合气体进行等离子体处理的第一工序，进行干式显影。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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