[发明专利]固体电解电容器的制备方法有效
申请号: | 02816291.9 | 申请日: | 2002-08-12 |
公开(公告)号: | CN1545713A | 公开(公告)日: | 2004-11-10 |
发明(设计)人: | 竹谷丰;狭场善昭;坂牧亮;伊藤忠仁 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社;太阳电子工业株式会社 |
主分类号: | H01G9/028 | 分类号: | H01G9/028;H01G9/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种根据本发明的固体电解电容器的制备方法包括:一个步骤,将在其上形成了介电膜层的阳极体浸渍于一种溶液中,所述的溶液包括0.7至10重量%的过氧化氢、0.3至3重量%的硫酸和作为主要溶剂的水,接着,在取出来之后,暴露于吡咯或吡咯衍生物的蒸气中,由此在介电膜层上形成聚吡咯或聚吡咯衍生物的第一导电聚合物层;和一个步骤,将在其上形成了介电膜层和第一导电聚合物层的阳极体浸渍于一种包括可聚合的单体和支持电解质的溶液中,以电解聚合所述可聚合的单体,由此在第一电导聚合物层上形成第二导电聚合物层。 | ||
搜索关键词: | 固体 电解电容器 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备固体电解电容器的方法,在制备固体电解电容器的方法中,其中在由铌或主要由铌制成的合金所制成的阳极体的表面上,相继形成介电膜层、第一导电聚合物层和第二导电聚合物层,该方法包含:在介电膜层上形成由聚吡咯或聚吡咯衍生物制成的第一导电聚合物层的步骤,该步骤包括:将在其上形成了介电膜层的阳极体浸渍于一种溶液中,所述的溶液包括0.7至10重量%的过氧化氢、0.3至3重量%的硫酸和作为主要溶剂的水,接着,在取出来之后,暴露于吡咯或吡咯衍生物的蒸气中;和在第一导电聚合物层上形成第二导电聚合物层的步骤,该步骤包括:将在其上形成了介电膜层和第一导电聚合物层的阳极体浸渍于一种溶液中,所述的溶液包括可聚合的单体和支持电解质,接着,给该溶液通电,以电解聚合所述可聚合的单体。
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