[发明专利]用于显微机械加工晶体材料的蚀刻工艺和由此制造的装置无效
申请号: | 02816376.1 | 申请日: | 2002-07-19 |
公开(公告)号: | CN1545732A | 公开(公告)日: | 2004-11-10 |
发明(设计)人: | 丹·A·斯坦伯格;拉里·J·拉斯纳克 | 申请(专利权)人: | 希普雷公司 |
主分类号: | H01L27/082 | 分类号: | H01L27/082;H01L27/102 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蒋旭荣 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种微光具座,所述微光具座具有蚀刻到衬底中的相交结构。具体地,本发明所涉及的微光具座包括具有沿单晶衬底的选定晶面所形成的平坦表面的结构。所提供的结构中的两种是蚀刻-停止凹点和邻近于所述蚀刻-停止凹点设置的各向异性蚀刻的零件。在蚀刻-停止凹点与各向异性蚀刻的零件之间的交点处保持晶面的定向。本发明还提供了一种用于显微机械加工衬底以形成微光具座的方法。所述方法包括形成蚀刻-停止凹点的步骤和邻近于所述蚀刻-停止凹点形成各向异性蚀刻的零件的步骤。所述方法还包括用蚀刻-停止层涂覆所述蚀刻-停止凹点的表面。 | ||
搜索关键词: | 用于 显微 机械 加工 晶体 材料 蚀刻 工艺 由此 制造 装置 | ||
【主权项】:
1.一种微光具座,所述微光具座包括具有蚀刻-停止凹点和被各向异性地蚀刻的零件的衬底,所述被蚀刻零件邻近于所述蚀刻-停止凹点布置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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