[发明专利]半导体记忆装置测试方法及装置无效

专利信息
申请号: 02816470.9 申请日: 2002-08-21
公开(公告)号: CN1545708A 公开(公告)日: 2004-11-10
发明(设计)人: E·科德斯;G·E·埃格斯;J·卢普科;C·斯托肯 申请(专利权)人: 因芬尼昂技术股份公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 梁永
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 本案系关于在一测试装置(PA)之测试方法,用以测试一半导体记忆装置(P),该半导体记忆装置(P)具有一关于资料选通信号(DQS)的双向资料选通连结,藉此该资料选通信号可透过在被测试的半导体记忆装置(P)与一相同类型的第二半导体记忆装置(R)间的数据传输而被测试。本案亦关于一种用以实行此发明方法的装置。
搜索关键词: 半导体 记忆 装置 测试 方法
【主权项】:
1.一种用于第一半导体记忆装置(P)的测试方法,该第一半导体记忆装置(P)具有:一关于资料选通信号(DQS)的双向资料选通终端,以及至少一关于资料信号(DS)的双向资料终端,在一测试装置(PA)上,其至少可产生资料选通与资料信号,以及传输与评估资料信号,其特征在于,在使用该资料选通与该资料信号的测试过程中,一资料系从该第一半导体记忆装置(P)被传输至相同类型的一第二半导体记忆装置(R),以及在从该第二半导体记忆装置(R)的一读出之后被该测试装置(PA)评估。
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