[发明专利]成膜方法和成膜装置无效
| 申请号： | 02816482.2 | 申请日： | 2002-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1545724A | 公开（公告）日： | 2004-11-10 |
| 发明（设计）人： | 三好秀典;杉浦正仁;柏木勇作;香川惠永;太田与洋 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;邸万杰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将由分子内具有环状结构的化合物构成的处理气体导入至处理室(12)内。另一方面，利用激发器(34)激发氩等激发用气体，并导入至处理室(12)内，激发处理气体。被激发的处理气体堆积在被处理基板(19)上，形成在膜中具有环状结构的多孔质低介电常数膜。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种成膜方法，其特征在于：包括：将被处理基板(19)配置在处理室(11)内的工序；将包含具有环状结构的物质的处理气体导入至所述处理室(11)内的处理气体导入工序；和将用于激发所述处理气体的激发用气体以激发状态导入至所述处理室(11)内的激发用气体导入工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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