[发明专利]使用反射掩膜的集成电路无效
| 申请号： | 02816634.5 | 申请日： | 2002-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1547682A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 韩相仁;帕维特·曼格特;詹姆斯·R·沃森;斯高特·D·赫克托 | 申请（专利权）人： | 自由度半导体公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用一个反射掩膜在覆盖一个半导体晶片的光刻胶层(170、180)中形成一个所需图案。该掩膜是通过顺序地淀积反射层(20)、吸收层(30)个防反射(ARC)层(40)。该ARC层(40)被根据该所需图案而构图。该ARC层(40)检查不获得所需图案的区域。然后，该ARC层(40)被修复，以用保护该反射层的该吸收层(30)获得所需图案。所需图案被发送到该吸收层(30)以揭示掩膜的反射部分。辐射被从反射掩膜上反射，以揭示掩膜的各个部分。辐射被从该反射掩膜上反射到该半导体晶片(160)，以用所需图案对覆盖该半导体晶片(160)的光刻胶层(170、180)进行曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 反射 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种使用反射掩膜对在半导体晶片上的第一光刻胶层进行构图的方法，其中包括：提供具有一个反射层的掩膜基片；在该反射层上淀积一个吸收层；在该吸收层上淀积一个防反射涂层(ARC)；在该ARC层上淀积第二光刻胶层；对该第二光刻胶层进行构图，以形成一个被构图的光刻胶层；使用被构图的光刻胶层作为第一掩膜蚀刻该ARC层，以形成一个被构图的ARC层；除去该被构图的光刻胶层；检查并修复该被构图的ARC层，以形成一个被构图的修复ARC层；使用该被构图的修复ARC层作为第二掩膜蚀刻该吸收层，以形成一个被构图的吸收层和该反射层的被暴露区域；对该半导体晶片施加第一光刻胶层；以及在该反射层的暴露区域上把辐射反射到该半导体晶片上的第一光刻胶层，以在该第一光刻胶层上提供一个被曝光图案。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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