[发明专利]粘合薄片和半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02816650.7 | 申请日： | 2002-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1633487A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 川上广幸;稻田祯一;增子崇;大久保惠介;畠山惠一;柳川俊之;加藤木茂树 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J163/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 粘合薄片，其具备压敏粘合剂层和底材层，通过放射线照射来控制上述压敏粘合剂层和上述底材层间的粘合力，上述压敏粘合剂层含有以下的成分：(a)热塑性树脂、(b)热聚合性成分、以及(c)通过放射线照射而产生碱基的化合物。本发明的粘合薄片是满足在切割时具有使半导体元件不飞散的足够的粘合力，此后通过照射放射线来控制上述压敏粘合剂层和底材间的粘合力，从而在取出时具有不损伤各元件的低粘着力的这样相反要求的粘合薄片。 | ||
| 搜索关键词： | 粘合 薄片 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.粘合薄片，该粘合薄片具有压敏粘合剂层和底材层，上述压敏粘合剂层和上述底材层间的粘合力通过放射线的照射来控制，上述压敏粘合剂层含有以下的成分：(a)热塑性树脂、(b)热聚合性成分、以及(c)经放射线照射产生碱基的化合物。
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