[发明专利]使用高K值电介质的改进硅化物工艺无效
| 申请号： | 02816659.0 | 申请日： | 2002-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1547766A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 相奇;P·R·贝瑟;M·S·布诺斯基;J·C·福斯特;P·L·金;E·N·佩顿 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/51;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是关于一种在栅极电极(14)上形成金属硅化物(22、24)的过程中，防止该栅极电极(14)的高K值电介质层(12)热分解的方法，该方法是使用镍作为该硅化物(22、24)的金属成分。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电介质 改进 硅化物 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的工艺，包括下列步骤：在两隔绝区域(13)间形成具有作用表面的基板(11)；在该表面上形成具有侧壁的栅极电极(14)，该栅极电极包括位于该表面上的高K值电介层(12)以及位于该高K值电介层(12)上的多晶硅层(14)；在该栅极电极(14)的侧壁形成间隔物(18)；在该多晶硅(14)上、该栅极电极(14)的侧壁以及覆盖于该作用区域(19、20)的前驱物的表面上沉积镍层(21)；使镍(21)与硅进行反应而形成硅化镍(22、24)；以及移除未反应的镍(21)。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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