[发明专利]由碳纳米管构成沟道的场效应晶体管无效
| 申请号： | 02816663.9 | 申请日： | 2002-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1547777A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 二瓶史行 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 栾本生;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管，它包括排列在衬底上的沟道、连接到沟道起始端的源电极、连接到沟道终止端的漏电极、排列在沟道顶部或侧面上的绝缘体、以及经由绝缘体而排列在沟道顶部或侧面上的栅电极，其中，沟道由多个碳纳米管组成。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 构成 沟道 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，它具有带电粒子在其中行进的沟道、分别连接到沟道部分的源区和漏区、以及电磁耦合到沟道的栅电极，其特征在于，所述沟道由碳纳米管制成。
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