[发明专利]用带电粒子束微细加工铜的方法无效
| 申请号： | 02816875.5 | 申请日： | 2002-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1550037A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | V·V·马卡罗夫;J·F·鲁伊斯;T－T·米奥 | 申请（专利权）人： | 恩普泰斯特有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种微细加工方法，所述微细加工方法包括在有助蚀剂情况下用带电粒子束蚀刻衬底，所述衬底具有叠加在介质层之上的铜。助蚀剂选自氨、乙酸、硫羟乙酸及它们组合。 | ||
| 搜索关键词： | 带电 粒子束 微细 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微细加工法，包括：(a)提供衬底，所述衬底包括介质层和叠加在上述介质层上的铜；及(b)在有助蚀剂情况下，用带电粒子束蚀刻上述铜，上述助蚀剂包括气体，所述气体从氨、乙酸、硫羟乙酸及它们组合的中选定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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