[发明专利]等离子腔室的腔室屏蔽无效
| 申请号： | 02817066.0 | 申请日： | 2002-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1550031A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 布瑞·詹姆斯·古德 | 申请（专利权）人： | 现代半导体美国公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C16/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于诸如离子植入机的源腔室之类的等离子腔室的屏蔽系统，包括：一个顶屏蔽板(502)，构形成附着在等离子腔室的顶部内表面；一个底屏蔽板(504)，构形成附着在等离子腔室的底部内表面；和一个后屏蔽板(506)，构形成附着在等离子腔室的后部内表面，其中，顶屏蔽板(502)的后缘与后屏蔽板(506)的顶缘相交，底屏蔽板(504)的后缘(528)与后屏蔽板(506)的底缘相交，从而顶屏蔽板(502)、底屏蔽板(504)和后屏蔽板(506)装配在一起基本上盖住腔室的内表面，从而在等离子腔室工作时减少在等离子腔室内侧表面上的沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 屏蔽 | ||
【主权项】：
1.一种用于等离子腔室的屏蔽系统，包括：一个顶屏蔽板，构形成用于附着在等离子腔室的一个顶部内表面；一个底屏蔽板，构形成用于附着在等离子腔室的一个底部内表面；和一个后屏蔽板，构形成用于附着等离子腔室的一个后部内表面，其中，所述顶屏蔽板的后缘与所述后屏蔽板的顶缘相交，所述底屏蔽板的后缘与所述后屏蔽板的底缘相交，从而所述顶屏蔽板、所述底屏蔽板和所述后屏蔽板装配在一起基本上盖住腔室的内表面，从而在等离子腔室工作时减少在等离子腔室内侧表面上的沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
