[发明专利]具有变薄前挖空的接触孔的彩色图像传感器的制造方法

摘要

本发明涉及一种制造图像传感器的方法。该方法包括：在半导体晶片(10)的前面上形成一系列有源区，这些有源区包括若干个图像检测电路，每个图像检测电路对应于相应的图像传感器，每个有源区由若干个输入/输出焊盘(22)环绕；传递该晶片，以其前面贴着支撑衬底(20)的前面；除去该半导体晶片的厚度的主要部分，在该衬底上留下已变薄的半导体薄膜。此外该方法包括：在变薄的半导体晶片上沉积若干滤色片层(18)并进行蚀刻；在传递该半导体晶片到该衬底之前，在该晶片的前面上形成若干个镀金属的孔(25)，并使其延伸而比在该半导体晶片表面上形成的图像检测电路之元件更深，该变薄步骤包括从后面除去镀金属孔的镀金属(22)。

主权项

1、一种制造图像传感器的方法，包括：在半导体晶片(10)的前面上形成一系列有源区(ZA)，这些有源区包括若干个图像检测电路，每一个图像检测电路对应于一个相应的图像传感器，每一个有源区由若干个输入/输出焊盘(22)环绕，传递该晶片，以其前面贴着一个临时支撑衬底(20)的前面，除去该硅晶片的厚度的主要部分，在该衬底上留下薄的硅层(30)，该薄的硅层包括所述图像检测电路，该方法的特征在于：首先，在由此变薄的半导体层上沉积若干滤色片层(18)，然后进行蚀刻，其次，在传递该半导体晶片到该衬底之前，在该晶片的前面上形成若干个镀金属的孔(25)，并使其延伸到大于在该晶片表面上形成的所述图像检测电路之元件的深度，所述除去该半导体晶片的厚度的主要部分的步骤包括从后面除去所述镀金属的孔的镀金属(22)的覆盖部分，最后，在所述滤色片的沉积和蚀刻后，将该衬底分割成若干个单个的传感器。