[发明专利]在氟离子不存在下合成ITQ－17

摘要

本发明涉及一种晶体材料，该晶体材料不包含氟化物，在煅烧状态下的组成与称为ITQ－17的材料的组成相同；在无水基础上，根据合成、未经煅烧的氧化物的摩尔数，这种晶体材料的组成表示如下：xX₂O₃:(1－z)YO₂:zGeO₂:r/nR_nO其中：X为至少一种三价元素；Y为一种或多种除锗以外的四价元素；R为有机结构引导化合物，优选为1－甲基－4－氮杂，1－氮鎓二环[2.2.2]辛烷(DABMe⁺)阳离子或1，4－二[N－(4－氮杂，1－氮鎓二环[2.2.2]辛烷)甲基]苯(d－DABBz) ²⁺阳离子；x为0～0.02；z为0.02～0.67；r为0.01～0.5；及n为1或2。本发明也涉及合成所述材料的方法，以及由所述方法再经过合成后处理步骤所得到的材料，其中合成后处理步骤用来除去合成材料结构中的有机成分。

主权项

1.一种晶体材料，其特征是，所述的晶体材料不包含氟化物，在煅烧状态下的组成与称为ITQ-17的材料的组成相同；在无水基础上，根据合成、未经煅烧的氧化物的摩尔数，这种晶体材料的组成表示如下：xX2O3:(1-z)YO2:zGeO2:r/n RnO 其中：-X为至少一种三价元素；-Y为一种或多种除锗以外的四价元素；-R为有机结构引导化合物；-x为0～0.02，优选0～0.01；-z为0.02～0.67，优选0.04～0.5；-r为0.01～0.5，优选0.01～0.25；及-n为1或2；以及这种晶体材料X-射线衍射角最有代表性的值如下：2Θ±0.5(度) 强度(I/I0)6.89 w，m9.57 vs19.35 m21.37 m21.90 vsvs：非常高；m：中等；w：低。