[发明专利]非易失性存储装置无效
| 申请号： | 02817262.0 | 申请日： | 2002-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1552076A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | H·G·古德森;P·－E·诺达尔 | 申请（专利权）人： | 薄膜电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;C08L27/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;杨九昌 |
| 地址： | 挪威*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | 一种非易失性存储装置(10)，包含一种具有铁电或驻极体性质的可电极化的介电存储材料(11)，并且能够表现出磁滞现象和剩磁感应，其中所述存储材料(11)包含一种或多种聚合物，至少一种是氘化聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置(10)，包含一种具有铁电或驻极体性质的可电极化的介电存储材料(11)，并且能够表现出磁滞现象和剩磁感应，其中所述存储材料(11)包含一种或多种聚合物，其中存储材料分别与第一套和第二套电极(WL；BL)接触，以进行写、读和擦除操作，其中一种具有电容类结构的存储单元(12)被限定在存储材料(11)中，并且可以通过电极(WL；BL)直接或间接进行访问，其中存储装置(10)中的存储单元(12)形成有源或无源矩阵的元素，其中每个存储单元(12)可被选择性寻址以进行写/读/擦除操作，在存储单元中建立所需的极化状态，或者进行其极化转换，并且其中在存储单元(12)中建立的确定极化状态决定其逻辑状态，其特征在于铁电或驻极体存储材料(11)包含至少一种氘化聚合物。
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