[发明专利]有机硅氧烷膜的处理方法及装置无效
| 申请号： | 02817271.X | 申请日： | 2002-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1552094A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 菱屋晋吾;佐野哲哉;关口学;三田伦广 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;JSR株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 处理有机硅氧烷膜的方法，包含将配设了聚硅氧烷系药液的涂布膜的基板(W)搬入反应容器(1)内的工序。药液含有从甲基、苯基及乙烯基中选取的官能团和硅原子的结合。此外，本方法含有在反应容器(1)内对基板(W)进行热处理而烧结涂布膜的工序。热处理在含有混合了氨和水的催化剂气体的处理气氛内、300～400℃的处理温度下进行。 | ||
| 搜索关键词： | 有机硅 氧烷膜 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、处理有机硅氧烷膜的方法，其包括：将配设了聚硅氧烷系药液的涂布膜的基板搬入反应容器内的工序、和在所述反应容器内对所述基板进行热处理从而烧结所述涂布膜的工序，其中，所述药液含有从甲基、苯基及乙烯基中选取的官能团和硅原子的结合，所述热处理在含有混合了氨和水的催化剂气体的处理气氛内、300～400℃的处理温度下进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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