[发明专利]氧化物高温超导体及其制备方法有效
| 申请号： | 02817489.5 | 申请日： | 2002-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN1551933A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 森达雷桑·阿西娜拉亚南;伊原英雄 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了在介电常数低的晶体基质上形成结晶完整度高、结晶取向性优良的氧化物高温超导体薄膜的氧化物高温超导体，以及制备这样的氧化物高温超导体的方法。在制造在晶体基质上形成有含有Ba作为其构成元素的氧化物高温超导体薄膜的氧化物高温超导体的过程中，在蓝宝石R(1，－1，0，2)晶面基质上形成由CeO3组成的、用于减少蓝宝石R(1，－1，0，2)晶面基质与氧化物高温超导体薄膜之间的晶格失配的第一缓冲层，在由CeO3制成的第一缓冲层上形成由其中的Ba被Sr取代的所述氧化物高温超导材料组成的第二缓冲层，以便在第二缓冲层上形成氧化物高温超导体薄膜。这样，即便用于减少蓝宝石R(1，－1，0，2)晶面基质与氧化物高温超导体薄膜之间的晶格失配的第一缓冲层容易与氧化物高温超导体薄膜中的Ba发生界面反应，第二缓冲层也能防止该界面反应，由此能够外延生长出结晶完整度和结晶取向性均优良的氧化物高温超导体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 高温 超导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种含有Ba作为其构成元素并在晶体基质上形成其薄膜的氧化物高温超导体，特征在于其包含：用于减少所述的晶体基质与所述的氧化物高温超导体薄膜之间的晶格失配的第一缓冲层，以及在所述的第一缓冲层上形成的由Sr氧化物制成的用于防止Ba从所述的氧化物高温超导体薄膜中扩散出来的第二缓冲层，这两个缓冲层位于所述的晶体基质与所述的氧化物高温超导体薄膜之间。
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