[发明专利]用于有机薄膜晶体管的表面改性层无效
申请号: | 02817538.7 | 申请日: | 2002-08-26 |
公开(公告)号: | CN1554126A | 公开(公告)日: | 2004-12-08 |
发明(设计)人: | T·W·凯利;D·V·穆耶里斯;M·J·佩勒莱特;T·D·邓巴;L·D·保德曼;T·P·史密斯 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L51/20 | 分类号: | H01L51/20;H01L21/3205;H01L51/40 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 周承泽 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供一种有机薄膜晶体管,它包括插入门介电层和有机半导体层之间的自组装单层。所述单层是所述门介电层与自组装单层前体反应形成的产物。所述单层前体组合物的通式为X-Y-Zn,其中,X是H或CH3,Y是直链或支链C5-C50脂族或脂环族连接基、或者是包含芳基和C3-C44脂族或脂环族连接基的C8-C50基团;Z选自-PO3H2、-OPO3H2、苯并三唑基(-C6H4N3)、羰氧基苯并三唑(-OC(=O)C6H4N3)、氧苯并三唑(-O-C6H4N3)、氨基苯并三唑(-NH-C6H4N3)、-CONHOH、-COOH、-OH、-SH、-COSH、-COSeH、-C5H4N、-SeH、-SO3H、-NC、-SiCl(CH3)2、-SiCl2CH3、氨基、氧膦基;n是1、2或3,其前提是当Z是-SiCl(CH3)2或-SiCl2CH3时,n=1。还提供制造薄膜晶体管和包含薄膜晶体管的集成电路的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 有机 薄膜晶体管 表面 改性 | ||
【主权项】:
1.一种有机薄膜晶体管(OTFT),它包括插入门介电层和有机半导体层之间的自组装单层,所述单层是所述门介电层与自组装单层前体反应形成的产物,所述前体包含如下通式的组合物: X-Y-Zn,其中,X是H或CH3;Y是直链或支链C5-C50脂族或脂环族连接基、或者是包含芳基和C3-C44脂族或脂环族连接基的C8-C50基团;Z选自-PO3H2、-OPO3H2、苯并三唑基(-C6H4N3)、羰氧基苯并三唑(-OC(=O)C6H4N3)、氧苯并三唑(-O-C6H4N3)、氨基苯并三唑(-NH-C6H4N3)、-CONHOH、-COOH、-OH、-SH、-COSH、-COSeH、-C5H4N、-SeH、-SO3H、-NC、-SiCl(CH3)2、-SiCl2CH3、氨基、氧膦基;n是1、2或3,其前提是当Z是-SiCl(CH3)2或-SiCl2CH3时,n=1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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