[发明专利]硼磷硅酸盐玻璃沉积的方法和设备

摘要

在半导体晶片上沉积硼磷硅酸盐玻璃膜过程中，控制掺杂浓度以减少所述半导体晶片上氮化物消耗的一种方法和装置。在本发明的一个实施例中，首先，所述方法将具有氮化物层的基片放置在反应室中(502)，并且向所述反应室提供硅源、氧源和硼源，但向反应室延迟提供磷源，以便在所述氮化物层上形成硼硅酸盐玻璃层(504)。然后，所述方法通过向所述反应室提供所述硅源、氧源、硼源和磷源，以在硼硅酸盐玻璃层上形成硼磷硅酸盐膜。

主权项

1.一种方法，包括：将具有氮化物层的基片放置在反应室中；将硅源、氧源和硼源提供给所述反应室，但向所述反应室延迟提供磷源，以在所述氮化物层上形成硼硅酸盐玻璃层；以及将所述磷源、硅源、氧源和硼源提供给所述反应室，以在所述硼硅酸盐玻璃层上形成硼磷硅酸盐膜。