[发明专利]通过阴离子或受控自由基聚合制备羟基乙烯基芳族聚合物或共聚物的方法无效
申请号: | 02817640.5 | 申请日: | 2002-09-02 |
公开(公告)号: | CN1553922A | 公开(公告)日: | 2004-12-08 |
发明(设计)人: | P·内斯瓦巴;K·库尼莫托 | 申请(专利权)人: | 西巴特殊化学品控股有限公司 |
主分类号: | C08F12/24 | 分类号: | C08F12/24;C08F4/04;C08F4/28 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 赵苏林;段晓玲 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | 本发明涉及一种通过各单体进行受控自由基聚合来制备羟基乙烯基芳族聚合物、特别是4-羟基苯乙烯聚合物或共聚物的方法,其中羟基官能团被保护基团封闭,保护基团随后在氢化过程中除去。所得的(共)聚合物具有窄的多分散性并用于生产光刻胶。 | ||
搜索关键词: | 通过 阴离子 受控 自由基 聚合 制备 羟基 乙烯基 聚合物 共聚物 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制备多分散指数Mw/Mn为1-2的窄分子量分布的羟基乙烯基芳族低聚物、共聚低聚物、聚合物或共聚物的方法,该方法包括以下步骤:使至少一种式I单体的组合物在以下a1)、a2)、a3)或a4)中反应
其中R1是H或CH3;R2和R3独立地是C1-C8烷基、C1-C8烷氧基、C1-C8烷氧基羰基、C1-C8烷硫基、C1-C8二烷基氨基、三卤代甲基;R4是苄基,其是未取代的或被一个或两个C1-C8烷基、C1-C8烷氧基、C1-C8烷氧基羰基、C1-C8烷硫基、C1-C8二烷基氨基、三卤代甲基、卤素取代;或R4是基团(苯基)(甲基)CH-、(苯基)2CH-或苯基-CH2-O-C(O)-;a1)在至少一种具有结构单元
的硝酰基醚的存在下,其中X代表具有至少一个碳原子的基团并使得衍生自X的自由基X·能引发烯属不饱和单体的聚合;或a2)在至少一种
的稳定游离硝酰基自由基和自由基引发剂的存在下;或a3)在式(III)
的化合物和催化有效量的可氧化的过渡金属配位催化剂存在下,其中p表示大于0的数,并定义引发剂片段的数目;q表示大于0的数;[In]表示能引发聚合反应的可自由基转移的原子或基团,和-[Hal]表示离去基团;或a4)在金属或有机金属催化剂存在下在阴离子聚合反应中;和任选同时或在后续步骤与一种或多种不同于式(I)单体的烯属不饱和单体反应;和b)分离所得的聚合物并使其进行氢化反应,得到具有式II重复单元的聚合物:
且该聚合物的羟基含量是基于受保护的式I羟基乙烯基芳族单体的摩尔量计的10-100摩尔%。
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