[发明专利]薄膜半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02817665.0 | 申请日： | 2002-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1554122A | 公开（公告）日： | 2004-12-08 |
| 发明（设计）人： | 小穴保久;松村正清 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶高新技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的薄膜半导体器件包含栅极绝缘层，该绝缘层是通过对半导体膜高热氧化制成的。半导体膜的高热氧化是这样进行的，在使基层上的非单晶半导体薄膜晶化或再结晶过程中，对薄膜中在照射前注入氧离子的预定区域进行照射而使这样的区域转变为氧化区，这些区域被处理为薄膜半导体器件中电路单元的栅极绝缘层。此器件的优点是大大减小了工作阈值的起伏并提高了器件的稳定性。当能量束以指定的模式进行照射时，可得到高迁移率的薄膜半导体器件，其中电路单元是按照半导体晶粒的排列而规则地排列的。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包含绝缘材料基层和制作在基层上的半导体薄膜层的薄膜半导体器件的衬底片，该衬底的特点在于，所述半导体薄膜层包含使非单晶半导体层晶化或再结晶而形成的半导体晶粒层和使该非单晶层氧化而形成的氧化层。
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