[发明专利]具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管有效
| 申请号： | 02817912.9 | 申请日： | 2002-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1555581A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | P·帕里克;U·米施拉 | 申请（专利权）人： | 美商克立股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/88 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示了具有低通态压(Vf)和可将反向电流(Irev)维持在相对低的结构的创新的以III族为基的二极管。本发明的一实施例是由费米能级(或表面电势)不固定的氮化镓材料系统制成的萧特基障壁二极管(10)。在金属－半导体接面的障壁电压(33)随所使用的金属(16)类型而改变，而使用特定的金属会降低二极管的萧特基障壁电压(33)并使Vf落在0.1－0.3伏特的范围内。在另一实施例(40)中，一沟槽结构(45)在萧特基二极管半导体材料(44)上形成以降低反向漏电电流，其含有多个在相邻沟槽之间具有平台区域(49)的互相平行、间距相等的沟槽(46)。本发明的第三实施例提供一具有起因于电子穿隧过而非超越过障壁电压(81)的低Vf的氮化镓隧道二极管。一实施例(120)也可以有一沟槽结构(121)来降低漏电电流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 正向 电压 反向 电流 操作 氮化 基底 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种以III族氮化物为基的二极管，其包括：一n+掺杂的氮化镓层(42)；一在所述n+氮化镓层(42)上的n-掺杂的氮化镓层(44)；一在所述n-掺杂的氮化镓层(44)上的萧特基金属层(48)，该金属层具有一功函数，所述n-氮化镓层(44)与所述萧特基金属层(48)形成一接面，该接面具有一依赖于所述萧特基金属层(48)的功函数的障壁电压能级(33)；以及一在所述n-层(44)的表面上的沟槽结构(45)，所述二极管在反向偏压下经受一反向漏电电流，所述沟槽结构(45)降低反向漏电电流量。
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