[发明专利]带有写禁止选择的磁存储器及其写入方法有效
| 申请号： | 02818361.4 | 申请日： | 2002-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1556997A | 公开（公告）日： | 2004-12-22 |
| 发明（设计）人： | 让－皮埃尔·诺兹莱斯;劳伦特·兰诺;耶恩·康劳克斯 | 申请（专利权）人： | 国家科研中心 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01F10/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种带有写禁止选择的磁存储器及其写入方法。本发明的每一个磁存储器单元包括如下组成的磁隧道结(70)：已知为受限制层(71)的磁性层，具有硬磁化；已知为自由层(73)的磁性层，其磁化可以被翻转；以及设置在自由层(73)和受限制层(71)之间并且与所述两层接触的绝缘层(72)。自由层(73)由基于稀土和过渡金属的非晶或纳米晶合金制成，所述合金的磁有序是亚铁磁性类型。本发明的存储器的选定工作温度接近于合金的补偿温度。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 禁止 选择 磁存储器 及其 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种其中各个存储器点由磁隧道结(70)形成的磁存储器，包括：·具有硬磁化的所谓的被锁定磁性层(71)，·具有可以翻转的磁化的所谓的自由磁性层(73)，·插入在所述自由层(73)和所述被锁定层(71)之间并与这两层分别接触的绝缘层(72)，特征在于：所述自由层(73)由基于稀土和过渡金属的非晶或纳米晶合金制成，所述合金的磁有序是亚铁磁性类型，并且所述存储器的工作温度被选在接近所述合金的补偿温度。
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