[发明专利]包括辅助支架键合修正的发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 02818519.6 | 申请日： | 2002-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1582503A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | D·B·小斯拉特;B·E·威廉斯;P·S·安德鲁斯 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 发光二极管包括衬底、衬底上其中包括二极管区的外延区、以及外延区上与衬底相对的多层导电叠层。钝化层至少部分地延伸在多层导电叠层上与外延区相对，以便确定在多层导电叠层上与外延区相对的键合区。钝化层还延伸跨越多层导电叠层，延伸跨越外延区，并且延伸到衬底上。多层导电叠层可以包括外延区上与衬底相对的欧姆层、欧姆层上与外延区相对的反射层、以及反射层上与欧姆层相对的锡的势垒层。还可以在锡的势垒层上提供与反射层相对的粘合层、还可以在粘合层上提供与锡的势垒层相对的键合层、还可以提供辅助支架以及键合层与辅助支架之间的键合。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 辅助 支架 修正 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，它包含：衬底；衬底上其中包括二极管区的外延区；外延区上衬底对面的包括势垒层的多层导电叠层；以及至少部分地延伸在多层导电叠层上与外延区相对的钝化层，以便确定在多层导电叠层上与外延区相对的键合区，此钝化层还延伸跨越多层导电叠层、延伸跨越外延区、以及延伸到衬底上。
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