[发明专利]用于包覆栅金属氧化物半导体场效应晶体管的方法无效
| 申请号： | 02818541.2 | 申请日： | 2002-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1557023A | 公开（公告）日： | 2004-12-22 |
| 发明（设计）人： | 朴炳柱;古川俊治;杰克·曼德尔曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L29/94;H01L31/062;H01L31/113;H01L31/119 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包覆栅晶体管，其包括具有上表面和彼此相对的第一和第二侧表面的衬底。在衬底中形成源和漏区(28)，其间具有沟道区。沟道区从衬底的第一侧表面延伸到第二侧表面。在衬底上形成栅介电层(40)。在栅介电层(40)上形成栅电极(42)以自上表面和第一和第二侧表面覆盖沟道区，其间具有栅介质(40)。衬底是在SOI(绝缘体上硅)衬底或任一常规非SOI衬底的绝缘层上形成的硅岛(12)，并具有包括第一和第二侧表面的四个侧表面。在邻接与第一和第二侧表面垂直的第三和第四侧表面的衬底部分上形成源和漏区(28)。该包覆栅结构提供了在沟道区内更好和更快的电势控制，其导致陡峭的亚阈值斜度和对“体到源”电压的低灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 包覆栅 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有上表面和基本上彼此平行的第一和第二侧表面的衬底；布置在所述衬底内的、在所述第一和第二侧表面之间的沟道区；形成在所述衬底中并由所述沟道区间隔开的源/漏区；和布置在所述衬底的所述上表面和所述第一和第二侧表面上的栅电极，其间具有栅介电层。
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