[发明专利]薄膜光学器件和有机电致发光显示器件的组件及其制造方法无效
| 申请号： | 02818634.6 | 申请日： | 2002-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1557020A | 公开（公告）日： | 2004-12-22 |
| 发明（设计）人： | P·C·杜恩埃维德 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L27/15;G09G3/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种薄膜光学器件的组件，包括基板(1；25)和淀积在基板(1；25)上、留有间距以形成容纳材料的多条沟道(8－10；15－17；30；31；36－38；40－42)的多个长条形挡堤(4；14，21－24；26－28；35；39)。至少一条沟道(15－17；30；31；36－38；40－42)沿着该沟道(15－17；30；31；36－38；40－42)在至少一个位置处局部展宽，以限定淀积一定量(18－20)材料的部位。一种制造电致发光显示器件的方法，其特征在于，通过选择这种组件，并且沿着沟道(15－17；30；31；36－38；40－42)仅仅在淀积部位处淀积包括有机电致发光材料(3)在内的一定量或多量(18－20)材料。一种有机电致发光显示器件包括这样的组件。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 光学 器件 有机 电致发光 显示 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜光学器件的组件，包括基板(1；25)和排列在基板(1；25)上、留有间距以形成多个用于容纳材料的沟道(8-10，15-17；30；31；36-38；40-42)的多个长条形挡堤(4；14，21-24；26-28；35；39)，其特征在于：至少一条沟道(15-17；30，31；36-38；40-42)沿着该沟道(8-10，15-17；30，31；36-38；40-42)在至少一个位置处局部展宽，以限定淀积一定量(18-20)材料的部位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
