[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02818861.6 | 申请日： | 2002-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1559085A | 公开（公告）日： | 2004-12-29 |
| 发明（设计）人： | 榊原正之;森下胜 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L23/12;H01L23/28 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民 |
| 地址： | 日本静冈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置(100)，它具有各引线端子(11a～11h)，在各引线端子的露出部分(12a～12h)的前端面(13a～13h)形成切口面(15a～15h)，切口面(15a～15h)上实施了能够提高焊料浸润性的电镀。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，在具有多个引线端子的引线框架上搭载有半导体元件，各所述多个引线端子分别和半导体元件电连接，搭载所述半导体元件的所述引线框架的搭载侧与各引线端子间两者用树脂模压成型，其特征在于，各所述多个引线端子的露出部分的前端面用比引线框架的材料焊料浸润性好的金属进行电镀。
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