[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 02818960.4 申请日: 2002-09-25
公开(公告)号: CN1559088A 公开(公告)日: 2004-12-29
发明(设计)人: 芳村淳 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/11
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 马浩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 这里公开了一个制造半导体器件的方法,该方法包括,准备一个包括一个集成电路芯片(12)的第一衬底(10)与该集成电路端子存在电连接的第一连接端子以及与第一连接端子隔开的第一连接部分(16a、17a),准备包括电连接到第一连接端子的第二连接端子的第二衬底(20),以及与第二连接端子隔开的第二连接部分(23a、24a),提供用来接合到第一连接部分或者第二连接部分上的金属材料部分(30),以及通过连接第一连接部分和第二连接部分来将第一衬底和第二衬底层叠起来,这是由金属材料部分通过热压缩接合来实现的。
搜索关键词: 半导体器件 以及 制造 方法
【主权项】:
1.一个制造半导体器件的方法,该方法包括:准备一个第一衬底,其包括一个集成电路芯片、与该集成电路芯片的端子电连接的第一连接端子、以及与第一连接端子相间隔的第一连接部分;准备一个第二衬底,其包括电连接到第一连接端子的第二连接端子,以及与第二连接端子相间隔的第二连接部分;提供用来接合到第一连接部分或者第二连接部分上的金属材料部分;以及通过热压缩接合所述金属材料部分来连接第一连接部分和第二连接部分,以将第一衬底和第二衬底层叠起来。
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