[发明专利]用于接触基片的电接触面的方法和由具有电接触面的基片形成的装置无效
| 申请号： | 02819063.7 | 申请日： | 2002-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1575511A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | K·海泽;L·阿米格斯;H·施瓦茨鲍尔;N·泽利格尔;K·维德纳;J·扎普夫;M·雷汗 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/051;H01L23/538;H01L25/07 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在一种用于接触基片(1)的一个表面(20)上的电接触面(21，112)的方法中，在该表面上在真空下层压基于由聚酰亚胺或者环氧化物形成的薄膜(3)，使得该薄膜紧紧覆盖在具有接触面的表面上并与其粘接。在表面上的每一要接触的接触面通过打开薄膜上的窗口(31)露出，每一露出的接触面与一个金属层平面接触。应用：允许大电流密度的功率半导体芯片的大平面接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 接触 接触面 方法 具有 形成 装置 | ||
【主权项】：
1.与一个基片(1)的表面(20)上的一个或多个电接触面(21)接触的方法，包括下列步骤：-在真空条件下将由电绝缘的塑料材料构成的薄膜(3)层压胶合到基片(1)的表面(20)上，使薄膜(3)把具有接触面(210、112)的表面(20)紧紧覆盖并附着在该表面(20)上，-通过打开薄膜(3)中的各个窗口(31)将表面(20)上需要接触的各个接触面(210、112)露置出来，并且-每个露置出来的接触面(210、112)都与一个导电材料层(4、6)平面接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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