[发明专利]铸模半导体晶片的装置及工艺有效
| 申请号： | 02819650.3 | 申请日： | 2002-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN1565052A | 公开（公告）日： | 2005-01-12 |
| 发明（设计）人： | 吉米周辉星;夏定伟 | 申请（专利权）人： | 先进系统自动化有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/28;B29C45/26;B29C45/40;B29C45/73 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 罗正云;宋志强 |
| 地址： | 新加坡54*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 用于在凸点化半导体晶片(118)的互连侧上铸模一层铸模化合物的铸模件(105和110)包括主要腔(117)和次要腔(120)，从主要腔(117)流出的过量铸模化合物流进次要腔(120)中。次要腔(120)包括在铸模期间对铸模化合物维持与所需铸模化合物压力相等的预定反压力的活塞(130)。随着在主要腔(117)中的大多过量铸模化合物被强迫流到次要腔(120)中，这有利地在半导体晶片(118)上留有相对较薄层的铸模化合物，然后例如通过研磨在相对短的时间内去除该较薄层铸模化合物。铸模件(105)还包括可移动腔柱(115)，该可移动腔柱(115)能够在铸模之后从铸模件(105)移开，然后进行冷却以分离与腔柱粘结的铸模基板。 | ||
| 搜索关键词： | 铸模 半导体 晶片 装置 工艺 | ||
【主权项】：
1.在基板的至少一个表面上模制铸模化合物层的装置，其中至少一个表面具有从其延伸的互连端，该装置包括：具有开口位置和铸模位置的多个铸模片，其中在铸模位置中多个铸模片形成用于在其中设置基板的主要腔，用于在基板的至少一个表面上设置预定量的铸模化合物，和用于在基板的至少一个表面上模制铸模化合物层，和多个铸模片形成与主要腔连接的次要腔，该次要腔用于接收来自主要腔的过量铸模化合物，该次要腔具有用于对铸模化合物维持预定压力的压力维持元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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