[发明专利]具有带易于浮岛形成的台阶式沟槽的电压维持层的功率半导体器件的制造方法

摘要

提供了一种形成功率半导体器件的方法。该方法开始于提供第一导电类型的衬底，并接着在衬底上形成电压维持区。通过在衬底上淀积第一导电类型的外延层和在外延层中形成至少一个台阶式沟槽来形成电压维持区。台阶式沟槽具有多个宽度不同的部分，它们之间限定至少一个环形凸缘。沿着沟槽壁淀积阻挡材料。穿过嵌入环形凸缘和所述沟槽底部的阻挡材料注入第二导电类型的掺杂剂并进到外延层的邻近部分中。掺杂剂扩散在外延层中形成至少一个环形掺杂区和位于环形掺杂区之下至少另一个区。在台阶式沟槽中淀积填充材料以基本上填充沟槽，由此完成电压维持区。在电压维持区上形成至少一个第二导电类型区以在它们之间限定结面。

主权项

1.一种功率半导体器件的制造方法，包括步骤：A.提供第一导电类型的衬底；B.通过以下步骤在所述衬底上形成电压维持区：1.在衬底上淀积外延层，所述外延层具有第一导电类型；2.在所述外延层中形成至少一个台阶式沟槽，所述台阶式沟槽具有宽度不同的多个部分，在它们之间限定至少一个环形凸缘；3.沿着所述沟槽的壁和底部淀积阻挡材料；4.穿过嵌入所述至少一个环形凸缘和所述沟槽底部的阻挡材料把第二导电类型的掺杂剂注入到外延层的邻近部分中；5.扩散所述掺杂剂以在所述外延层中形成至少一个环形掺杂区和位于所述外延层中所述环形掺杂区之下的至少另一个区；6.在所述台阶式沟槽中淀积填充材料以基本上填充所述台阶式沟槽；和C.在所述电压维持区上形成至少一个所述第二导电类型区，以在它们之间限定结面。