[发明专利]使用沟槽为晶片承载的半导体器件提供电流控制无效
| 申请号： | 02820298.8 | 申请日： | 2002-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1568432A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | M·J·哈吉－谢克;J·R·比亚尔;R·M·豪金斯;J·K·冈特 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G01R31/316 | 分类号： | G01R31/316;H01S5/02;H01S5/183 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 苏娟 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 这里公开的是用于为具有衬底(1520)、至少一个有源部件层(1565)、表面层(1510)、形成在所述表面层(1510)上的至少一个接触件(1515)的半导体晶片(1500)提供晶片寄生电流控制的方法。电流控制可以由围绕电接触件形成的沟槽(1525)来实现，其中，电接触件以及相关的层限定电子器件。绝缘注入物(1530)可以放置在沟槽(1530)中，和/或牺牲层(1540)可以在电子接触件(1515)之间形成。沟槽通过促进在有源(例如，导电)区域(1560)中的电流，且阻止电流通过非有源(例如，不导电)区域(1550)来控制电流。还公开了用于半导体器件的晶片级老化(WLBI)的方法和系统。当使用WLBI方法和系统时，晶片级的电流控制是重要的。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 沟槽 晶片 承载 半导体器件 提供 电流 控制 | ||
【主权项】：
1.一种用于在由具有衬底(1420)、至少一个有源部件层(1465)和表面层(1410)的半导体晶片(1400)承载的器件上提供寄生电流控制的方法，其包括的步骤为：围绕有源区域(1460)形成至少一个沟槽(1425)，且用有源区域限定寄主，其中，所述至少一个沟槽从所述表面层(1410)朝着所述衬底(1420)延伸通过所述至少一个有源部件层(1465)，其中，所述至少一个沟槽进一步限定阻碍电流通过的无源区域(1450)。
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