[发明专利]多孔低K介质互连结构有效
| 申请号： | 02820436.0 | 申请日： | 2002-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1788347A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 安·R·福尔诺夫;杰弗里·C·海德里克;李康旭;凯利·马罗尼;克里斯蒂·S·迪伯格 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/4763 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明在衬底上提供了一种电互连结构，它包括具有从中已经清除了成孔源的表面区的第一多孔介电层；以及排列在第一多孔介电层上的腐蚀停止层，致使腐蚀停止层延伸，以便部分地填充从中已经清除了成孔源的第一多孔介电层表面区中的孔，从而在后续加工中改善粘合性。另一种结构包含衬底；排列在衬底上的多个多孔介电层；排列在第一介电层与第二介电层之间的腐蚀停止层；以及排列在至少一个多孔介电层与腐蚀停止层之间的至少一个薄的韧性非多孔介电层。还提供了制作这些结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 介质 互连 结构 | ||
【主权项】：
1.一种衬底上的电互连结构，它包含：第一多孔介电层，它具有从中已经清除了成孔源的表面区；以及腐蚀停止层，它排列在所述第一多孔介电层上，致使所述腐蚀停止层延伸，从而部分地填充从中已经清除了成孔源的所述第一多孔介电层表面区中的孔。
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