[发明专利]半导体装置接触部及其制造方法和包括该接触部的用于显示器的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法有效
申请号: | 02820938.9 | 申请日: | 2002-02-20 |
公开(公告)号: | CN1575525A | 公开(公告)日: | 2005-02-02 |
发明(设计)人: | 金彰洙;孔香植;朴旻昱;全相镇 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;彭焱 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列基片的方法。在该方法中,在基片上形成包括栅极线、栅极、和栅极衬垫的横向栅极布线。然后,形成栅极绝缘层,在其上部顺次形成半导体层及欧姆接触层。接着,将导电层沉积在基片上,并制作布线图案形成包括与栅极线交叉的数据线、源极、漏极、和数据衬垫的数据布线。接着,将保护层和有机绝缘层沉积在基片上。将有机绝缘层进行曝光和显像,从而形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫上部保护层的接触孔。接着,将有机绝缘层作为掩膜蚀刻露出的保护层,露出漏极、栅极衬垫、以及数据衬垫。接着,通过固化收缩或回流有机绝缘层,以便在接触区域除去底切结构。在固化步骤之前抛光有机绝缘层。接着,将ITO或IZO沉积在有机绝缘层上,并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫连接的像素电极、辅助栅极衬垫、及辅助数据衬垫。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 接触 及其 制造 方法 包括 用于 显示器 薄膜晶体管 阵列 面板 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体装置的方法,所述方法包括以下步骤:在基片上形成第一布线组件;在所述第一布线组件上形成下层;形成有机绝缘层,以便所述有机绝缘层覆盖所述下层;对所述有机绝缘层制作布线图案,从而形成露出所述下层的接触孔;蚀刻通过所述接触孔露出的所述下层,以便露出其下的所述第一布线组件;固化所述有机绝缘层;在所述有机绝缘层上形成第二布线组件,以便所述第二布线组件通过所述接触孔连接所述第一布线组件。
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