[发明专利]蚀刻终止树脂无效

专利信息
申请号: 02820956.7 申请日: 2002-10-04
公开(公告)号: CN1575310A 公开(公告)日: 2005-02-02
发明(设计)人: R·博伊斯维特;S·格里戈拉斯;D·哈;B·哈克尼斯;C·耶克尔 申请(专利权)人: 陶氏康宁公司
主分类号: C08G77/12 分类号: C08G77/12;C09D183/04;H01L21/312
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 刘明海
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 含5-50mol%(PhSiO (3-x)/2 (OH) x)单元和50-95mol%(HSiO (3-x)/2(OH) x)的硅氧烷树脂,其中Ph是苯基,且x的值为0、1或2;和其中该固化的硅氧烷树脂的临界表面自由能为30dyn/cm或更高。这些树脂用作临界表面自由能为40dyn/cm或更高的有机介电材料的蚀刻终止层。
搜索关键词: 蚀刻 终止 树脂
【主权项】:
1.硅氧烷树脂,包括5-50mol%(PhSiO(3-x)/2(OH)x)单元和50-95mol%(HSiO(3-x)/2(OH)x)单元,基于树脂内含硅单元的总量,其中Ph是苯基,且x的值为0、1或2。
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