[发明专利]铝/钼层叠膜的蚀刻方法有效
| 申请号： | 02820986.9 | 申请日： | 2002-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1575509A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 南场哲;阿部久起 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/768;C23F1/20;C23F1/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及铝/钼层叠膜的蚀刻方法，用含有磷酸、硝酸、有机酸和阳离子生成成分的水溶液构成的湿法蚀刻液，对含有至少一种铝系金属膜和至少一种钼系高熔点金属膜的层叠膜进行蚀刻。通过使湿法蚀刻液中的水分含量维持在10～30重量％，可以将层叠膜湿法蚀刻成良好的正圆锥形状。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1、一种蚀刻方法，其特征在于，使形成在基板上的含有至少一种铝系金属膜和至少一种钼系高熔点金属膜的层叠膜接触由含有磷酸、硝酸、有机酸和阳离子生成成分的水溶液构成的湿法蚀刻液，同时维持水分含量在10～30重量％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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