[发明专利]可靠性评估测试装置、可靠性评估测试系统、接触器以及可靠性评估测试方法无效
| 申请号： | 02821110.3 | 申请日： | 2002-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1575514A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 竹腰清;保坂久富;荻原顺一;初鹿国彦;臼井孝公;金子尚史;早坂伸夫;井户义幸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;株式会社东芝;IBIDEN股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 可靠性评估测试装置(10)，包括晶片存放单元(12)，该存放单元存放晶片(W)，该晶片则处于该晶片上形成的若干器件的电极衬垫与接触器(11)的凸起彼此完全电气接触的状态。该晶片存放单元(12)向/从测量单元(15)发送/接收一个测试信号，并具有与外界隔离的绝热结构。该晶片存放单元(12)具有对接触器(11)加压的压力机构(13)以及直接将与接触器(11)完全接触的晶片(W)加热到预定高温的加热机构(14)。该半导体晶片上形成的一层互连膜与绝缘膜的可靠性可以在加速条件下加以评估。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠性 评估 测试 装置 系统 接触器 以及 方法 | ||
【主权项】：
1、一种可靠性评估测试装置(10)，根据来自测量单元的测试信号测试半导体器件的可靠性，该装置包括测量单元(15)与存放单元(12)，该存放单元具有与外界隔离的绝热结构，存放与接触器完全电气接触的半导体晶片(W)，并向/从该测量单元发送/接收测试信号，该装置包括：压力机构(13)，用于挤压该存放单元内的接触器；以及加热机构(14)，将由该压力机构使其完全与该接触器接触的半导体晶片加热到预定的温度，其中，该可靠性评估测试装置在加速条件下评估该半导体晶片上形成的多层互连(73)与绝缘膜(74)的可靠性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
