[发明专利]在CMOS匹配衬底上制造微电子机械开关的方法

摘要

一种制造微电子机械开关(MEMS)的方法，使用开始于在介质(150)内镶嵌由金属导体构成的铜镶嵌互连层的工艺。所有或部分互连凹陷直到当开关处于关闭状态时足够提供容性空气隙的程度，以及提供例如Ta/TaN保护层用空间。在开关限定的区域内限定的金属结构用作致动电极，以下拉可移动梁(160)并提供至少一个路径用于开关信号通过。这种空气隙的优点在于空气不会出现可引起可靠性和电压漂移问题的电荷存储或俘获。替代凹陷电极以提供间隙，可以正好在电极上或电极周围增加介质。下一层是另一电介质层，其淀积到在形成开关器件的可移动梁(160)之间形成间隙的所需厚度。穿过该电介质层制造通孔以在金属互连层和还将包括可移动梁的下一个金属层之间提供连接。接着构图和蚀刻通孔层以提供包含下致动电极和信号路径的空腔区。接着用牺牲释放材料回填充空腔。

主权项

1.一种制造微电子机械(MEM)开关的方法，包括步骤：a)在衬底上淀积第一电介质层，所述第一电介质层具有形成于其中的多个导电互连线；b)淀积第二电介质层，穿过所述第二电介质层形成有导电通孔，所述通孔接触所述多个导电互连线的至少一个；c)形成由所述第二电介质层镂成的空腔；d)用牺牲材料填充所述空腔，并平坦化所述牺牲材料；和e)淀积第三电介质层并形成导电梁，使所述导电通孔接触所述导电梁。