[发明专利]使用氮化物块状单晶层的发光元件结构有效
| 申请号： | 02821230.4 | 申请日： | 2002-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1575534A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·德维林斯基;罗曼·多兰特金斯基;耶日·加尔金斯基;莱择克·西尔兹普托夫斯基;神原康雄 | 申请（专利权）人： | 波兰商艾蒙诺公司;日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;C30B29/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 波兰*** | 国省代码： | 波兰;PL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种高输出型的氮化物发光元件，在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间含有活性层的氮化物发光元件中，所述基板是从含镓氮化物的块状单晶中被切出，具有缺陷密度为105/cm2以下的晶体取向接长的生长面、并可以具有可与六方晶体的C轴平行的晶体取向接长的生长的A面或M面，在该面上所述n型半导体层直接进行层叠。可以在所述活性层是由含有In的氮化物半导体组成的情况下，在不损伤活性层的低温下形成由单晶AlXGa1－XN(0≤X≤1)组成的保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 氮化物 块状 单晶层 发光 元件 结构 | ||
【主权项】：
1、一种发光元件结构，其特征在于，在由含镓氮化物基板、其基板上由气相生长法所形成的n型含镓氮化物半导体层、含镓氮化物半导体活性层、p型含镓氮化物半导体层组成的发光元件中，所述基板是从采用超临界氨法形成的含镓氮化物的块状单晶中被切出，具有缺陷密度为105/cm2以下的晶体取向接长的生长面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于波兰商艾蒙诺公司;日亚化学工业株式会社，未经波兰商艾蒙诺公司;日亚化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02821230.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
