[发明专利]氮化物半导体激光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 02821231.2 | 申请日： | 2002-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1575533A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·德维林斯基;罗曼·多兰特金斯基;耶日·加尔金斯基;莱择克·西尔兹普托夫斯基;神原康雄 | 申请（专利权）人： | 波兰商艾蒙诺公司;日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/16 | 分类号： | H01S5/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 波兰*** | 国省代码： | 波兰;PL |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体激光元件及其制造方法，该具有高输出型谐振器端面的氮化物半导体激光元件，在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间具有包括由含In的氮化物半导体构成的活性层的谐振器，并且，在所述激光元件的相对向的谐振器端面的至少放射端面上形成以不损伤活性层的低温形成的由单结晶AlXGa1－XN(0≤X≤1)构成的保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 激光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体激光元件，在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间具有包括由含In的氮化物半导体构成的活性层的谐振器，其特征在于：在所述激光元件的相对向的谐振器端面的至少放射端面上，以不损伤所述活性层的低温条件形成与活性层相比禁带宽度能量大的单结晶AlXGa1-XN(0≤X≤1)构成的端面膜。
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