[发明专利]填充有不流动的底层填料的电子组件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 02821250.9 申请日: 2002-10-28
公开(公告)号: CN1575519A 公开(公告)日: 2005-02-02
发明(设计)人: C·贡扎莱兹;S·施;M·朱基克 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L21/56
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 崔幼平
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 通过组合使用热量和压力以接合倒装芯片的电路小片并使不流动的底层填料固化,可实现高屈服、高可靠性的倒装芯片的集成电路插件。该底层填料包括填料或低热膨胀系数的材料,以便降低固化后的底层填料的热膨胀系数。该底层填料包括填料,该填料可从包括硅石、氧化硅、二氧化硅、氮化硅、氧化铝、和氮化铝的一组材料中选择。该填料还可增加固化后的底层填料的粘度和/或增加其弹性模量。在方法实施例中,采用热压接合机以同时提供焊料突起回流和底层填料固化。各种方法可应用于部件插件、电子组件、和电子系统。
搜索关键词: 填充 流动 底层 填料 电子 组件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种方法,其包括:在衬底的部件安装区域中沉积不流动的底层填料,该部件安装区域包括多个垫;将部件放置在该部件安装区域上,以便该部件的端子与对应的垫对准并且大致封装在该底层填料中;施加适当的压力,以使该端子与该垫实体接触;以及施加适当的热量,以使该底层填料硬化。
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