[发明专利]阻挡层和籽层的集成无效
| 申请号： | 02821308.4 | 申请日： | 2002-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1575518A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 程华(音译);陈凌(音译);于基科(音译);常美(音译) | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一般地涉及通过沉积阻挡层、在阻挡层上沉积籽层和在籽层上沉积导电层来填充特征。在一个实施方式中，籽层包括沉积在阻挡层上的铜合金籽层。例如，铜合金籽层可以包括铜和金属，如铝、镁、钛、锆、锡及其组合。在另一个实施方式中，籽层包括沉积在阻挡层上的铜合金籽层和沉积在铜合金籽层上的第二籽层。铜合金籽层可以包括铜和金属，如铝、镁、钛、锆、锡及其组合。第二籽层可以包括金属，如非掺杂铜。在仍另一个实施方式中，籽层包括第一籽层和第二籽层。第一籽层可以包括金属，如铝、镁、钛、锆、锡及其组合。第二籽层可以包括金属，如非掺杂铜。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 集成 | ||
【主权项】：
1.一种用于填充特征的方法，包括：沉积阻挡层；在阻挡层上沉积籽层，该籽层包括铜和从铝、镁、钛、锆、锡及其组合构成的组中选择的一种金属；以及在籽层上沉积铜导电材料层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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