[发明专利]薄膜电容元件用组合物、高电容率绝缘膜、薄膜电容元件和薄膜叠层电容器

摘要

本发明是在基板4上依次形成下部电极6、电介质薄膜8和上部电极10的薄膜电容器2。电介质薄膜8由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi₂O₂) ²⁺ (A_m－1B_mO_3m+1) ^2－或Bi₂A_m－1B_mO_3m+3表示，上述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。电容率的温度特性优良，同时即使变薄也具有较高的电容率且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，表面平滑性也优良。

主权项

1.一种薄膜电容元件用组合物，具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，其特征在于，该铋层状化合物用组成式：(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-或Bi2Am-1BmO3m+3表示，上述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。