[发明专利]在半导体晶片上形成划线的方法以及用以形成这种划线的设备无效
申请号: | 02821799.3 | 申请日: | 2002-10-28 |
公开(公告)号: | CN1579013A | 公开(公告)日: | 2005-02-09 |
发明(设计)人: | 若山治雄 | 申请(专利权)人: | 三星钻石工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B28D5/00;B23K26/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 肖春京;杨松龄 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 制备了包括有表面上通过半导体晶片生产过程形成了许多图案化半导体器件的硅晶片(50),于硅晶片(50)上涂布透明膜以覆盖许多半导体器件。将这种具有透明膜的半导体晶片即硅晶片(50)置于转台(26)上,以此硅晶片的未被透明膜覆盖的背面朝上背离转台(26),沿着用于将此半导体晶片分成许多半导体芯片的划线形成线条由激光束加热上述背面以形成激点,所加热的温度则低于半导体晶片的软化点,同时沿此划线形成线条连续地冷却此激点附近的区域。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶片 形成 划线 方法 以及 用以 这种 设备 | ||
【主权项】:
1.用于在半导体晶片上形成划线的方法,它包括下述步骤:制备出包括通过半导体晶片生产过程而于半导体表面上形成的许多图案化半导体器件的半导体晶片;于此半导体晶片表面施加透明膜以覆盖住所有这许多图案化半导体器件;将具有此透明膜的半导体晶片置于规定的台上使此半导体晶片的背面背离此规定的台;沿着用以将半导体晶片分成许多半导体芯片的划线形成线条连续地以激光束加热此规定的台上半导体晶片的背面以形成激点,加热至低于半导体晶片软化点的温度,同时连续地沿此划线形成线条冷却激点附近的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星钻石工业股份有限公司,未经三星钻石工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02821799.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:柔性衬底和电子设备
- 下一篇:用在汽车内外的多用途卧榻
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造