[发明专利]在凹槽刻蚀之前通过干涉法实现的现场监测进行平坦化刻蚀的方法

摘要

提供了一种在衬底中进行凹槽刻蚀操作的方法，其包括：在衬底上形成硬掩膜，并且利用该硬掩膜在衬底中刻蚀出沟槽，在硬掩膜之上和该沟槽中形成介电层，该介电层衬垫该沟槽。然后将导电材料涂敷在介电层之上，使得该导电材料覆盖在该硬掩膜之上并填充该沟槽，对该导电材料进行刻蚀以基本上使导电材料平坦。在即将把所有的导电材料从覆盖硬掩膜的介电层上去除之前，导电材料的刻蚀触发终点。对导电材料进行凹槽刻蚀，以去除覆盖硬掩膜的介电层上的导电材料，并且从沟槽中去除至少一部分导电材料。

主权项

1.一种在衬底中进行凹槽刻蚀操作的方法，包括：a)在衬底上形成硬掩膜；b)利用该硬掩膜在衬底中刻蚀出沟槽；c)在该硬掩膜上和该沟槽中形成介电层，该介电层构造为衬垫该沟槽；d)将导电材料涂敷在介电层上，使得该导电材料覆盖该硬掩膜并填充该沟槽；e)对该导电材料进行刻蚀，以基本上使导电材料平坦，该导电材料的刻蚀设置为，在即将从覆盖硬掩膜的介电层上去除所有的导电材料之前触发终点；并且f)对该导电材料进行凹槽刻蚀，以去除覆盖硬掩膜的介电层上的导电材料，并且从沟槽中去除至少一部分导电材料。