[发明专利]使用IR和/或NIR辐射干燥有机半导体层、导体层或滤色器层的方法无效
| 申请号： | 02821908.2 | 申请日： | 2002-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1582507A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 于尔根·施泰格尔;苏珊·霍伊恩;霍斯特·韦斯特韦伯;曼弗雷德·威纳;安德烈亚斯·马托伊斯 | 申请（专利权）人： | 科文有机半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;杨青 |
| 地址： | 德国法*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于干燥和/或随后处理薄层的方法，所述薄层含有有机半导体、有机导体或有机滤色器。所述方法用于有机发光二极管(PLED)、有机集成电路(O－IC)、有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机太阳能电池(O－SC)、有机激光二极管(O－laser)、液晶显示器用有机滤色器、或有机光感受器的生产中。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 ir nir 辐射 干燥 有机半导体 导体 滤色器层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生产有机半导体薄层、有机导体薄层或有机滤色器薄层的方法，其包括以下步骤：(a)使包含至少一种有机半导体或有机导体或有机滤色器的溶液或分散体淀积到衬底上；(b)通过IR和/或NIR辐射对步骤(a)产生的湿膜进行干燥；所述方法的特征在于，步骤(b)中所用辐射的至少80％的辐射能处在700到2000nm范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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